半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010271232.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496896A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496896A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I;H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11529（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪涵;胡建强;郑凯;杨芸;高颖 | 申请（专利权）人 | 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静 |
| 地址 | 102600北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成浮栅；图形化浮栅和基底，在基底中形成多条沿列向延伸且沿行向排布的隔离结构；刻蚀位于单元阵列区的相邻隔离结构之间的部分浮栅，形成开口，沿列向贯穿单元阵列区、相邻第一过渡区和第二过渡区及部分选择栅区；对单元阵列区和第一过渡区及相邻部分选择栅区沿行向第二侧进行第一单侧离子注入，形成第一漏区；对单元阵列区和第二过渡区及相邻部分选择栅区沿行向第一侧进行第二单侧离子注入，形成第二漏区。本发明有利于提升半导体结构的性能。 |
