测量晶圆电阻率的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN201310261115.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104251935B | 公开（公告）日 | 2018-03-06 |
| 申请公布号 | CN104251935B | 申请公布日 | 2018-03-06 |
| 分类号 | G01R27/02 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李广宁;唐强;许亮 | 申请（专利权）人 | 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种测量晶圆电阻率的装置及方法，所述装置包括，测量头盘、测量头、位移杆以及旋转马达；测量头设置于测量头盘的一面，测量头分第一组测量头和第二组测量头，第二组测量头的头部曲率半径比第一组测量头的头部曲率半径大；位移杆设置于测量头与测量头盘之间，旋转马达设置于测量头盘的另一面；在使用第一组测量头对待测晶圆表面的薄膜进行第一次测量之后对初次结果进行分析，若初次结果存在异常则说明第一组测量头扎穿了待测晶圆表面的薄膜，使用头部曲率半径更大的第二组测量头对待测晶圆进行第二次测量，不易扎穿述待测晶圆表面的薄膜，从而能够得到准确的测量结果。 |
