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一种半导体器件的制造方法

基本信息

申请号	CN201210398960.9	申请日	-
公开（公告）号	CN103779277B	公开（公告）日	2017-06-13
申请公布号	CN103779277B	申请公布日	2017-06-13
分类号	H01L21/8238(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	卜伟海;谢欣云;俞少峰	申请（专利权）人	北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟
地址	201203 上海市浦东新区张江路18号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区包括NMOS的栅极结构，所述PMOS区包括PMOS的栅极结构；步骤S102：在所述半导体衬底上形成一层保护层；步骤S103：刻蚀所述保护层以形成所述PMOS的栅极侧壁；步骤S104：在所述PMOS的栅极结构两侧的半导体衬底上刻蚀出凹槽；步骤S105：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S106：刻蚀所述保护层以形成所述NMOS的栅极侧壁；步骤S107：同时形成NMOS的抬升的源极和漏极及PMOS的抬升的源极和漏极。本发明的半导体器件的制造方法，仅仅需要形成一次保护层，而且将形成NMOS和PMOS的抬升的源漏极集成在一个步骤之中，因此，简化了制造工艺，降低了成本。