一种用于超级电容器的聚丙烯腈/二硫化钼复合材料的制备方法
基本信息
申请号 | CN201711481492.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108305789A | 公开(公告)日 | 2018-07-20 |
申请公布号 | CN108305789A | 申请公布日 | 2018-07-20 |
分类号 | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/48;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 袁宇丹;易若玮;李佳琦;孙艺;赵胤超;刘晨光;孙伟;杨莉;赵春;赵策洲 | 申请(专利权)人 | 烯晶碳能大安科技无锡有限公司 |
代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 西安交通大学;西交利物浦大学;无锡烯晶碳能新材料科技有限公司 |
地址 | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 发明公开了一种用于超级电容器的聚丙烯腈/二硫化钼复合材料的制备方法。将二水钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)、硫脲(CH4N2S)与聚甲基丙烯酸甲酯/聚丙烯腈(PMMA/PAN)核壳结构混合均匀,经过水热反应后高温碳化,得到MoS2/PAN复合材料。本发明公开的制备方法采用PMMA作为模板形成具有均匀大孔的PAN中空球状结构,并在PAN表面生长MoS2纳米花,既方便电解液离子的输运,又有较高的比表面积,有利于形成双电层。而且整个制备工艺简单,绿色环保。 |
