一种大尺寸硅边缘抛光液及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202210281713.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114605923A | 公开(公告)日 | 2022-06-10 |
申请公布号 | CN114605923A | 申请公布日 | 2022-06-10 |
分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C01B33/18(2006.01)I;B24B1/04(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I | 分类 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用; |
发明人 | 潘国顺;陈高攀;潘立焱;罗海梅;周艳;罗桂海;张楚红 | 申请(专利权)人 | 深圳清华大学研究院 |
代理机构 | 深圳市壹壹壹知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道高新技术工业村 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种大尺寸硅边缘抛光液及其制备方法,所述抛光液包括非球形介孔氧化硅颗粒及抛光助剂。所述的制备方法以活性硅酸为原料制备晶核,在晶核制备过程中添加粘结剂,改变晶核颗粒表面基团结沟、影响晶核颗粒表面电荷分布、压缩晶核颗粒的双电层厚度,生成非球形晶核结构。在颗粒生长中过程中添加模板剂,各种形状晶核结构各向同性生长,从而获得相应形状的氧化硅颗粒。对获得的氧化硅颗粒进行去模板操作,制备出非球形介孔氧化硅颗粒。将制备颗粒及抛光助剂按一定比例分别加入去离子水中配制适用于大尺寸硅边缘抛光的抛光液。与传统硅边缘抛光液相比,本发明可有效地提高材料去除率,并降低抛光后硅边缘表面粗糙度。 |
