一种发光二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110196359.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102244162B | 公开（公告）日 | 2013-03-13 |
| 申请公布号 | CN102244162B | 申请公布日 | 2013-03-13 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于彤军;龙浩;贾传宇;杨志坚;张国义 | 申请（专利权）人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏爱华 |
| 地址 | 100080 北京市海淀区海淀路52号1705室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种LED的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：在衬底上形成由碳纳米管与InN或高In组分的InGaN外延层材料组成的过渡层；在上述过渡层上生长LED外延片；对LED外延片进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备正装结构LED；或转移衬底，对衬底进行激光剥离、分离，再进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备垂直结构LED。本发明不仅可以改善晶体质量，而且可以实现应力的调控。 |
