GaN基脊型激光二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310665266.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103618212A | 公开（公告）日 | 2014-03-05 |
| 申请公布号 | CN103618212A | 申请公布日 | 2014-03-05 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟令海;康香宁;刘宁炀;陈景春;吴勇;刘诗宇;胡晓东 | 申请（专利权）人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱红涛 |
| 地址 | 100080 北京市海淀区海淀路52号1705室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。 |
