基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法
基本信息
| 申请号 | CN201210256655.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102817074B | 公开（公告）日 | 2015-09-30 |
| 申请公布号 | CN102817074B | 申请公布日 | 2015-09-30 |
| 分类号 | C30B25/16(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马志芳;杨志坚;张国义;李丁;吴洁君;贾传宇;陈志忠;于彤军;康香宁;胡晓东;秦志新;龙浩 | 申请（专利权）人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李稚婷 |
| 地址 | 100080 北京市海淀区海淀路52号1705室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。 |
