一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510438112.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105047788A | 公开（公告）日 | 2015-11-11 |
| 申请公布号 | CN105047788A | 申请公布日 | 2015-11-11 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志忠;马健;陈景春;姜爽;焦倩倩;李俊泽;蒋盛翔;李诚诚;康香宁;秦志新;张国义 | 申请（专利权）人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王岩 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。 |
