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无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置

基本信息

申请号 CN201510023297.8 申请日 -
公开（公告）号 CN105845798B 公开（公告）日 2018-10-19
申请公布号 CN105845798B 申请公布日 2018-10-19
分类号 H01L33/30;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 吴洁君;程玉田;于彤军;韩彤;张国义 申请（专利权）人 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京大学;北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布一种无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置，将双面抛光的衬底直立于衬底放置装置置于反应室内，双面同时外延生长Ⅲ族氮化物薄膜或微结构形成缓冲层，再双面同时生长厚膜Ⅲ族氮化物，并保证蓝宝石Al面一侧外延厚度稍大于O面一侧外延层厚度。衬底放置装置为多片式石墨架，包括基底、孔洞、滚轮和卡槽，实现衬底旋转，保证生长膜厚的均一性。本发明抑制了翘曲并改善了晶体质量，获得的复合衬底可作为Ⅲ族氮化物准同质外延衬底，用于制备相关光电子器件。本方法充分利用反应室空间、降低生产成本、工艺简单易控，且可选不同衬底、运用多种设备生长多种厚膜Ⅲ族氮化物衬底。