一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510349047.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105023984B | 公开（公告）日 | 2018-06-08 |
| 申请公布号 | CN105023984B | 申请公布日 | 2018-06-08 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/40;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志忠;马健;陈景春;姜爽;焦倩倩;李俊泽;蒋盛翔;李诚诚;康香宁;秦志新;张国义 | 申请（专利权）人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王岩 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。 |
