低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS及其制备工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS及其制备工艺

基本信息

申请号	CN201610991243.5	申请日	-
公开（公告）号	CN106684150A	公开（公告）日	2017-05-17
申请公布号	CN106684150A	申请公布日	2017-05-17
分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	吴杨	申请（专利权）人	西安阳晓电子科技有限公司
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司	代理人	西安阳晓电子科技有限公司
地址	710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创新商务公寓2号楼10305室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS，包括源极、栅极、漏极、金属屏蔽层，金属屏蔽层包括从栅极的上方跨过第一金属屏蔽层，其一端位于源极下方且与源极相接触，另一端与漏极间隔一定的距离；第一金属屏蔽层与栅极之间的绝缘介质层的厚度用于调整耦合电容的大小；第一金属屏蔽层的另一端与漏极之间的距离用于调整源极和漏极之间的电场。本发明工艺步骤与现有的标准CMOS工艺兼容，无需增加额外掩膜，也无需专用的机台，只需通过工艺调整ILD厚度以及不同的金属屏蔽层M0的延伸距离，从而在该金属屏蔽层与漏极的氧化物oxide或氮化硅SiN等介质之间形成耦合电容，实现不同的漏极电场耦合，保护栅极不受高压的冲击，实现不同电压器件优化。