晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池

基本信息

申请号 CN202110896871.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113782636A 公开(公告)日 2021-12-10
申请公布号 CN113782636A 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李吉;杨联赞;时宝;林纲正;陈刚 申请(专利权)人 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
代理机构 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 贾振勇
地址 300400天津市北辰区天津北辰经济技术开发区科技园高新大道73号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。晶体硅太阳能电池的退火方法包括:将待氧化的硅片放入退火炉;利用氮气和氧气对退火炉中的硅片进行热氧化处理,以在硅片形成氧化硅层,氧气的占比范围为75%‑90%,氮气的占比范围为10%‑25%;对硅片进行降温退火处理。如此,可以更好地钝化硅片的表面,减少少数载流子的表面负荷,有利于提升光电转换效率。同时,这样可以生成更为致密的氧化硅层,改善电池片的PID。