多芯片系统级封装结构的制作方法
基本信息
申请号 | CN201310067499.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103165479B | 公开(公告)日 | 2015-10-14 |
申请公布号 | CN103165479B | 申请公布日 | 2015-10-14 |
分类号 | H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 于大全;刘海燕 | 申请(专利权)人 | 江苏中科物联网科技创业投资有限公司 |
代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
地址 | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种多芯片系统级封装结构的制作方法,该结构包括具有TSV硅通孔和凸点结构的转接板芯片,一个大尺寸芯片和多个小尺寸芯片或小尺寸芯片的堆叠。本发明将单颗大芯片倒装连接至转接板晶圆;再经转接板晶圆切割、电性能测试;小尺寸芯片或小尺寸芯片堆叠与转接板芯片互连;再次对转接板封装结构进行电性能测试;转接板封装结构与基板互连,形成最终的封装结构。其优点是:本发明的制作方法避免了超薄的硅转接板不易拿持的问题,并显著提高了封装效率和产品的良率,降低了生产成本。 |
