高深宽比通孔的互连结构及制作方法
基本信息
申请号 | CN201310046987.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103077932B | 公开(公告)日 | 2015-10-14 |
申请公布号 | CN103077932B | 申请公布日 | 2015-10-14 |
分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 于大全;姜峰 | 申请(专利权)人 | 江苏中科物联网科技创业投资有限公司 |
代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
地址 | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种高深宽比通孔的互连结构及制作方法,其包括基板,基板内设有若干通孔;在基板的第一主面上淀积有第一阻挡层,第二主面上淀积有第二阻挡层;第一阻挡层与第二阻挡层相接触,且第一阻挡层将通孔分隔成上填充槽及与所述上填充槽对应的下填充槽,且上填充槽与下填充槽通过第一阻挡层隔离;在上填充槽内填充有第一金属填充体,在下填充槽内填充有第二金属填充体,第一金属填充体通过第一阻挡层及第二阻挡层与第二金属填充体电连接;第一金属填充体、第二金属填充体、第一阻挡层及第二阻挡层与基板间绝缘连接。本发明结构简单紧凑,提高互连结构通孔的深宽比,降低成本,工艺步骤简单,安全可靠。 |
