一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310173844.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103258810B | 公开（公告）日 | 2015-07-08 |
| 申请公布号 | CN103258810B | 申请公布日 | 2015-07-08 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于大全;伍恒;程万 | 申请（专利权）人 | 江苏中科物联网科技创业投资有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海国增知识产权服务有限公司 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法，属于晶圆级电镀铜填孔技术领域。其在晶圆表面依次做完垂直硅通孔刻蚀、绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层之后，于电镀填充铜工艺之前，在晶圆表面和垂直硅通孔孔口处再做一层特殊层，所述特殊层材质为金属Ta、V、Ti、Al、Fe或非金属TiN、TaN、AlN。所述特殊层在垂直硅通孔孔口处的高度不大于在晶圆表层的绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层三者厚度之和。本发明工艺简单，可有效阻挡表层的铜沉积，减轻CMP负担，降低成本。 |
