一种TSV背面漏孔的封装结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN201310106597.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103219303B | 公开（公告）日 | 2015-10-14 |
| 申请公布号 | CN103219303B | 申请公布日 | 2015-10-14 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于大全;薛恺 | 申请（专利权）人 | 江苏中科物联网科技创业投资有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海国增知识产权服务有限公司 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种TSV背面漏孔的封装结构及方法，其包括衬底，衬底内设有贯通的信号连接通孔与工艺监控通孔，所述信号连接通孔的侧壁及工艺监控通孔的侧壁均覆盖有绝缘层，且所述绝缘层覆盖衬底的第一主面；信号连接通孔内填充有信号连接导体，工艺监控通孔内填充有监控填充体；衬底的第一主面上设置用于与信号连接导体电连接的第一连接导体，衬底的第二主面上设置与信号连接导体电连接的第二连接导体，且第二连接导体通过信号连接导体与第一连接导体电连接；第二连接导体与衬底绝缘隔离，第一连接导体通过绝缘层与衬底绝缘隔离。本发明结构紧凑，工艺步骤简单，避免金属污染，加工精度高，适应范围广，安全可靠。 |
