一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201610057643.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105676259B | 公开（公告）日 | 2018-12-04 |
| 申请公布号 | CN105676259B | 申请公布日 | 2018-12-04 |
| 分类号 | G01T1/202;H01L31/18 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 苏晓 | 申请（专利权）人 | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000 福建省泉州市鲤城区江南南环路高新技术电子信息产业园区1303号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器，所述闪烁体探测器包括一导电硅基底，所述导电硅基底背表面设有栅电极，正表面设有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设有单层二硫化钼，所述单层二硫化钼两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接栅绝缘层；所述单层二硫化钼上设有闪烁体，所述闪烁体位于源电极和漏电极之间，所述闪烁体外包覆有保护层。本发明所述的基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器为光电晶体管并作为闪烁体探测器的光电转换器件，在单层二硫化钼上直接沉积闪烁体作为高能粒子接收体，具有灵敏度高，响度速度快，结构简单，成本低的特性。 |
