一种带隙基准电压源快速启动电路
基本信息
| 申请号 | CN201911274929.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111142602B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN111142602B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | G05F1/567（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 李兆桂;陈涛 | 申请（专利权）人 | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人 | 包姝晴;张静洁 |
| 地址 | 200000上海市浦东新区盛夏路560号504室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种带隙基准电压源快速启动电路，其中的带隙基准启动电路，包含：PMOS管PM1和PM2，NMOS管NM1，耗尽型NMOS管NM2，电流源；管NM1和管NM2的栅极连接有Ponrst信号；Ponrst信号在高电平阶段时，管NM1和管NM2开启，电流源电流Ibias通过管PM1在与管NM1的漏极对应的节点处产生偏置电压Pbias_setup，使运算放大器的输出端所对应的Pbias信号的电压与偏置电压Pbias_setup相等。本发明通过偏置电流源启动电压基准源，可消除电压过冲现象，提升电路的稳定性。 |
