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非易失存储器编程方法

基本信息

申请号 CN202110319185.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113160870A 公开（公告）日 2021-07-23
申请公布号 CN113160870A 申请公布日 2021-07-23
分类号 G11C16/10;G11C16/34 分类 信息存储;
发明人 陈涛;汪齐方;冯国友 申请（专利权）人 普冉半导体（上海）股份有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 王江富
地址 201210 上海市浦东新区盛夏路560号504室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种非易失存储器编程方法，其对于高可靠性要求存储器进行高可靠性编程，高可靠性编程包括以下步骤：一.对存储器的待编程存储单元的进行标准擦除，使各存储单元变为擦除状态1；二.将编程数据采用1位数据对应2位差分编码数据的编码方式变为编码数据后，再对存储器的待编程存储单元进行标准编程，编程数据中的数据1对应一对差分编码数据10，编程数据中的数据0对应一对差分编码数据01，每对差分编码数据对应一对存储单元。该非易失存储器编程方法，可以增加读出电路的读出裕量，能提高高可靠性要求存储器产品存储编程数据的可靠性。