非易失性存储器芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110578244.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113220240A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113220240A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | G06F3/06（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 王佩璇;雷冬梅 | 申请（专利权）人 | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王江富 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区盛夏路560号504室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器芯片，其包括定时电路、读写控制电路、存储阵列；存储阵列包括主存储区；主存储区用于存储常规数据；定时电路在非易失性存储器芯片出厂时开始计时，当计时时长达到设定时长，则输出芯片寿命到期信号到读写控制电路；读写控制电路当接收到定时电路发来的芯片寿命到期信号，则将主存储区中的数据读出并保存，然后对主存储区进行擦除操作，再将从主存储区中读出并保存的数据重新写入主存储区。该种非易失性存储器芯片，能有效延长非易失性存储器芯片的数据存储寿命，提高数据安全性，节省芯片成本。 |
