首页/ 普冉半导体（上海）股份有限公司/ 专利详情

非易失存储器擦除编程方法

基本信息

申请号 CN202110319206.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113077831A 公开（公告）日 2021-07-06
申请公布号 CN113077831A 申请公布日 2021-07-06
分类号 G11C16/14（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 陈涛;汪齐方;冯国友 申请（专利权）人 普冉半导体（上海）股份有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 王江富
地址 201210上海市浦东新区盛夏路560号504室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种非易失存储器擦除编程方法，擦除操作时，将A类存储区的各存储单元进行标准擦除变为擦除状态1，将B类存储区的各存储单元进行弱擦除改变为弱擦除状态；编程操作时，根据编程数据对所述A类存储区存储单元进行编程，使对应于编程数据1的A类存储区存储单元保持擦除状态，使对应于编程数据0的A类存储区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0，同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维持为弱擦除状态。该非易失存储器擦除编程方法，读出电路能根据A类存储区存储单元同B类存储区存储单元的读出电流之间的大小关系来准确确定A类存储区存储单元所存储的数据，能提高存储器产品存储编程数据的可靠性。