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一种深紫外LED晶圆级封装方法

基本信息

申请号	CN201911086034.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110828633A	公开（公告）日	2020-02-21
申请公布号	CN110828633A	申请公布日	2020-02-21
分类号	H01L33/48;H01L33/62	分类	基本电气元件;
发明人	彭洋;柳星星;陈明祥	申请（专利权）人	武汉高星紫外光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	430000 湖北省武汉东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心三期3栋3层07号
法律状态	-

摘要

本发明专利公开了一种深紫外LED晶圆级封装方法。封装方法包括：首先通过丝网印刷在晶圆级石英玻璃片上形成阵列的环状纳米银膏层，并经过低温烧结后获得环状银层结构；然后通过半导体微加工工艺制备平面陶瓷基板，并在陶瓷基板上制作阵列的金属围坝以实现三维陶瓷基板；随后将多颗深紫外LED芯片贴装于陶瓷基板围坝腔体内的金属线路层上；接着在石英玻璃片的银层上通过印刷金属焊料形成焊料层，再将陶瓷基板围坝上表面与石英玻璃片的焊料层对准加压，并通过加热实现可靠焊接；最后切割分片获得深紫外LED产品。通过本发明专利，实现了深紫外LED全无机气密封装，提高了深紫外LED器件长期可靠性，更重要的是提出了一种低成本、规模化的封装方法，降低了深紫外LED封装制造成本。