一种高光效深紫外LED封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202022613344.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214411233U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214411233U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/54（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭洋;柳星星;王志涛 | 申请（专利权）人 | 武汉高星紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京铭本天律师事务所 | 代理人 | 宋松 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城B3栋10楼1001（自贸区武汉片区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高光效深紫外LED封装结构。封装结构包括石英玻璃盖板、三维封装基板、粘接层、深紫外LED芯片；所述三维封装基板腔体内壁和底部镀有高反射铝层，用于深紫外光的反射和提取；所述粘接层设置于所述三维封装基板腔体上端，用于与所述石英玻璃盖板间的可靠粘接；所述深紫外LED芯片贴装于所述三维封装基板腔体内的线路层上，通过导电通孔实现与外部电连接。通过本实用新型中的大面积高反射铝层，有效避免深紫外光被封装体吸收，使得更多的光从封装体中出射出去，从而提高深紫外LED出光效率。 |
