一种深紫外LED封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202020842515.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213340411U | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN213340411U | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/54（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柳星星;彭洋;王志涛 | 申请（专利权）人 | 武汉高星紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心三期3栋3层07号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种深紫外LED封装结构。封装结构包括含围坝的三维陶瓷基板、含金属环的石英透镜、焊料层和深紫外LED芯片，所述三维陶瓷基板围坝上设有台阶，所述深紫外LED芯片位于所述三维陶瓷基板围坝内的线路层上，所述石英透镜金属环一侧对应放置于所述三维陶瓷基板围坝的台阶上，并通过所述焊料层完成焊接固定。通过本实用新型，实现了不同发光角度的深紫外LED，且提高了深紫外LED长期可靠性。 |
