半导体器件的制备方法及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202210333552.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724936A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724936A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/228（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 史仁先;王国峰 | 申请（专利权）人 | 青岛惠科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 266227山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该半导体器件的制备方法包括提供清洗后的硅片，通入液态磷源在第一温度下进行扩散以在硅片上形成掺杂区；对硅片第一面的掺杂区打磨预设深度，采用液态硼源在硅片第一面涂覆预设厚度；使硅片在第二温度下进行高温处理，以使磷离子和硼离子注入硅片内；对硅片的表面进行处理，包括对硅片第一面喷砂处理，在硅片上形成台面沟槽，对台面沟槽处进行划片得到单个芯粒。本申请提供的制备方法制备效率较高，在制备过程中对晶圆的物理冲击小、环境污染小，且形成的PN结较平整，可以应用于例如汽车电子领域等高温环境中。 |
