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一种高性能大功率低噪声TR芯片

基本信息

申请号 CN202110854865.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113659947A 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN113659947A 申请公布日 2021-11-16
分类号 H03F3/68（2006.01）I;H03F1/56（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 罗力伟;黄杨;杨柯;王祁钰 申请（专利权）人 四川益丰电子科技有限公司
代理机构 成都为知盾专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 李汉强
地址 610000四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高性能大功率低噪声TR芯片，属于无线通信技术领域，针对现有技术中缺少一种以满足Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的功率放大器芯片，以及缺少满足满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。本发明提出了通过三级放大电路的10W放大器和通过四级放大的低噪声放大器，并同时将10W发射功率放大器和接收低噪声放大器集成在一个TR芯片上。以达到实现Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的10W放大器芯片，同时满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。