一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器
基本信息
申请号 | CN201920773027.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN210123968U | 公开(公告)日 | 2020-03-03 |
申请公布号 | CN210123968U | 申请公布日 | 2020-03-03 |
分类号 | H03D7/16 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 陈奉云;罗力伟;王祁钰 | 申请(专利权)人 | 四川益丰电子科技有限公司 |
代理机构 | 北京中索知识产权代理有限公司 | 代理人 | 房立普 |
地址 | 610000 四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器,包括3db正交耦合器、平衡混频器Ⅰ、同相功分器、平衡混频器Ⅱ、低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ、合路器,所述3db正交耦合器的左上端接射频输入端RF,左下端接地,右上端、右下端分别接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端,同相功分器的输出端接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端,平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输出端分别连接低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输入端,低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输出端接合路器的输入端,所述平衡混频器Ⅱ与低通滤波器Ⅱ之间设有90°移相电路。本实用新型采用特殊电路匹配结构,在满足阻抗匹配的同时,具有较低的变频损耗以及高混频输入输出频差。 |
