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一种消除硅片同心圆缺陷的方法

基本信息

申请号 CN201511004233.X 申请日 -
公开（公告）号 CN105568390A 公开（公告）日 2016-05-11
申请公布号 CN105568390A 申请公布日 2016-05-11
分类号 C30B31/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李世杰;陈世杰;吴成志;刘晓燕;武哲 申请（专利权）人 宁晋赛美港龙电子材料有限公司
代理机构 石家庄元汇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 刘闻铎
地址 055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街289号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种消除硅片同心圆缺陷的方法，属于单晶硅生产技术领域，该方法在实施之前，通过PL光致发光测试系统对硅片进行筛选，筛选出将来会出现同心圆缺陷的硅片，该方法首先将硅片放入石英舟中，再放入扩散炉对硅片进行加热，加热之前向扩散炉中充满高纯氩气，扩散炉加热至680℃后进行恒温保持，30min后将硅片拿出并使用降温器进行快速降温，最后形成合格的硅片，降温器能够用于大量硅片的快速冷却，风冷的效果较为均匀，能够避免硅片出现品质不均匀而导致不能使用的情况，该发明的应用能够使得存在同心圆缺陷的硅片原片回收利用，提高硅棒切片后的利用率，降低硅片的生产成本。