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一种栅电压及衬底电压跟随CMOS三态门电路

基本信息

申请号 CN202110736833.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113364448A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113364448A 申请公布日 2021-09-07
分类号 H03K19/20;H03K19/094 分类 基本电子电路;
发明人 邹林均;任罗伟;徐晟阳 申请（专利权）人 无锡中微爱芯电子有限公司
代理机构 无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙） 代理人 顾翰林
地址 214000 江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业科技园D3楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种栅电压及衬底电压跟随CMOS三态门电路；包括总线PAD，所述总线PAD上电性连接有P1管和N1管，所述P1管上连接有P2管，所述P1管的一端电性连接有传输门TG，所述传输门TG和所述N1管的一端电性连接有与非门和或非门，所述与非门和所述或非门的一侧电性连接有反相器，所述反相器上电性连接有N2管，所述N2管的一端电性连接有P3管，所述P3管的另一侧电性连接有P4管，所述P4管的一侧电性连接有P5管；本发明的电路上电时具有三态门功能；解决传统CMOS三态门在混合电压环境下应用及局部掉电应用下，存在电流泄露情况的问题。