一种单芯片集成的高压PMOS管驱动器
基本信息
| 申请号 | CN202021136668.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212034101U | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN212034101U | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 蒋红利;罗晟;孙志欣 | 申请（专利权）人 | 无锡中微爱芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京科家知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡中微爱芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所;中国电子科技集团公司第十四研究所 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业科技园D3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种单芯片集成的高压PMOS管驱动器，便于满足T/R组件系统的小型化、高可靠性及高性能要求；输入调制TTL信号经TTL模块U1后与逻辑控制延时模块U3连接，同时负压掉电检测模块U2也与逻辑控制延时模块U3连接，逻辑控制延时模块U3输出驱动高边电平移位模块U4的HI信号，同时输出驱动低边驱动模块U6的LI信号，LI信号经低边驱动模块U6后输出到NMOS管的栅极；HI信号经高边电平移位模块U4后输入至高边驱动模块U5；电源VCC通过内部电压产生模块U7输出内部电压V1和VB。 |
