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碳化硅IGBT基板骨架真空液压压力快捷渗铝装置及方法

基本信息

申请号 CN201310486806.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103521738B 公开（公告）日 2016-04-06
申请公布号 CN103521738B 申请公布日 2016-04-06
分类号 B22D19/00(2006.01)I;B22D18/06(2006.01)I 分类 铸造；粉末冶金;
发明人 舒阳会;胡娟 申请（专利权）人 湖南航天有限责任公司
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人 湖南航天工业总公司
地址 410205 湖南省长沙市岳麓区枫林三路217号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空液压压力快捷渗铝装置，它包括上冲头、下冲头和型腔；所述型腔包括型腔本体和通腔；型腔本体上半部设有与通腔连通的铝合金液注入口，型腔本体下半部分设有与通腔连通的真空泵接口；所述上冲头由上至下伸入通腔，上冲头伸入通腔的部分环设有密封圈；所述下冲头由下至上伸入通腔，下冲头伸入通腔的部分也环设有密封圈；所述下冲头顶面设有用于装载碳化硅IGBT基板骨架的石墨框架；当上冲头封闭铝合金液注入口、下冲头封闭真空泵接口时，上冲头和下冲头之间的距离为30mm～40mm。采用该装置能实现碳化硅IGBT基板骨架快捷渗铝及双面均匀覆铝。