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一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法

基本信息

申请号 CN201310426982.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103433491B 公开（公告）日 2015-05-13
申请公布号 CN103433491B 申请公布日 2015-05-13
分类号 B22F3/26(2006.01)I;C23C10/22(2006.01)I 分类 铸造；粉末冶金;
发明人 舒阳会;胡娟 申请（专利权）人 湖南航天有限责任公司
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人 湖南航天工业总公司
地址 410205 湖南省长沙市岳麓区枫林三路217号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法。该装置包括陶瓷坩埚，设置在陶瓷坩埚底部的带孔石墨板；装在陶瓷坩埚内的多块碳化硅IGBT基板骨架和多块不锈钢陶瓷组合板；相邻两块碳化硅IGBT基板骨架之间设有一块与之平行布置的所述不锈钢陶瓷组合板；所述陶瓷坩埚的侧壁上开有用于固定所述碳化硅IGBT基板骨架或不锈钢陶瓷组合板的卡槽；所述陶瓷坩埚内装有含硅质量分数大于13%的铸造铝合金。本发明解决了铝碳化硅IGBT基板双面均匀覆铝合金的技术难题，陶瓷坩埚可重复使用，成本低，产量高、质量好，适合于批量生产。