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一种深度饱和高谐波抑制的低噪声放大器

基本信息

申请号 CN202121943887.X 申请日 -
公开（公告）号 CN215818061U 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN215818061U 申请公布日 2022-02-11
分类号 H03F1/26（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 唐陈 申请（专利权）人 成都川美新技术股份有限公司
代理机构 北京正华智诚专利代理事务所（普通合伙） 代理人 李梦蝶
地址 611730四川省成都市高新区（西区）天虹路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种深度饱和高谐波抑制的低噪声放大器，包括两个电桥模块、四个匹配单元和两个放大模块；其中第一电桥模块的输入端与输入信号相连；第一电桥模块的输出端分别与两个匹配单元的输入端相连；两个匹配单元的输出端分别与两个放大模块的输入端相连；两个放大模块的输出端分别与另两个匹配单元的输入端相连，另两个匹配单元的输出端分别与第二电桥模块的输入端相连。本实用新型能够使经过本实用新型的放大器的信号产生的谐波经电桥模块相互抵消，使信号达到放大效果的同时，产生极小的谐波，不对后续的链路产生影响，能够提高信号处理的准确性，能够满足更高需求的测频系统。