一种金纳米晶界面碳基材料超组装可控生长方法
基本信息
申请号 | CN201910989066.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111647871B | 公开(公告)日 | 2022-05-24 |
申请公布号 | CN111647871B | 申请公布日 | 2022-05-24 |
分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;B22F9/24(2006.01)I;C01B32/186(2017.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 梁秀;许冠辰;李宁;刘家庆;李勇;高萌 | 申请(专利权)人 | 山东省科学院新材料研究所 |
代理机构 | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人 | - |
地址 | 250000山东省济南市历下区科院路19号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种金属纳米晶界面碳基材料超组装可控生长方法,形成结构可控的周期性阵列结构,并通过等离子化学沉积(PECVD)方法,对纳米晶进行表面碳基材料的原位包覆,获得多元超组装纳米晶‑碳基复合材料的新方法。本发明属于纳米材料技术领域。本发明的优点在于:本发明以AAO为模板制备的SERS阵列材料,形貌可控,重复性好,多孔阵列结构可通过模板结构进行有效的热点调控,方法稳定性强。本发明采用的制备方法简单、可操作性强,成本低廉、环境友好、效率较高,可作为大规模批量生产优良性能的SERS基底的方法,制备方法易于工业化生产,方法普适性强。 |
