一种扩散高方阻硅片的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201910834290.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447879A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447879A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾德栋;陈议文 | 申请（专利权）人 | 海南英利新能源有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 570000海南省海口市海口国家高新技术产业开发区狮子岭工业园区光伏南路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种扩散高方阻硅片的处理方法，包括如下步骤，S1：将扩散高方阻硅片放入H2SO4/HNO3/HF的混合溶液进行次刻蚀，刻蚀深度为（1.0‑1.2）um；S2：将所述刻蚀后的所述高方阻硅片用DI纯水清洗；S3：用KOH溶液去除所述高方阻硅片表面多孔硅结构；S4：DI纯水清洗；S5：用HF溶液去除述高方阻硅片表面的氧化层；S6：DI纯水清洗；S7：烘干槽烘干；S8：将烘干后的所述高方阻硅片再次转入扩散工序进行二次扩散，二次扩散温度比常规扩散工艺温度低10‑30℃；S9：将二次扩散后的所述高方阻硅片进行二次刻蚀，提高背抛效果，然后转入正常生产工序。 |
