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对不合格硅片的处理方法

基本信息

申请号 CN201410442477.5 申请日 -
公开（公告）号 CN104157739B 公开（公告）日 2017-08-15
申请公布号 CN104157739B 申请公布日 2017-08-15
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 许明金;符昌京;邓清龙;陈耀军 申请（专利权）人 海南英利新能源有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 海南英利新能源有限公司
地址 570000 海南省海口市国家高新区狮子岭工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种对不合格硅片处理的方法，包括：获取不合格硅片；采用预设浓度的氢氟酸溶液浸泡不合格硅片；采用表面腐蚀液，在第一预设时间和第一预设温度的条件下，腐蚀不合格硅片；采用预设体积比例的氢氧化钾溶液清洗不合格硅片；采用预设体积比例的氯化氢和氢氟酸溶液，在第二预设时间和第二预设温度的条件下，清洗不合格硅片；对不合格硅片进行扩散工艺，使不合格硅片的方阻在预设方阻范围内；对不合格硅片进行镀反射膜工艺，使不合格硅片的反射膜厚度在预设厚度范围内。采用本发明提供的技术方案，对在丝网印刷工艺前产生的不合格硅片进行处理后，可以再次使用制作太阳能电池片，避免了资源的浪费，提高了产品的生产合格率。