具有高Q值的声表面波谐振器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110769326.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113346859A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113346859A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H03H3/10（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H9/25（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 朱赛宁;彭时秋;王涛;陈培仓 | 申请（专利权）人 | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立秋 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种声表面波谐振器及其制备方法，尤其是一种具有高Q值的声表面波谐振器及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述具有高Q值的声表面波谐振器，包括压电基片、设置于所述压电基片上的金属叉指电极以及设置于所述压电基片上的反射栅区；所述反射栅区包括若干设置于压电基片上的栅区槽以及若干形成于所述压电基片上的槽间隔离柱，所述栅区槽与槽间隔离柱间交替分布，且栅区槽的长度方向与槽间隔离柱的长度方向相一致。本发明工艺步骤简单，与现有常规声表面波器件制造工艺可兼容，能使得声表面波谐振器具有较高的Q值。 |
