红外增强型硅基光电探测器
基本信息
| 申请号 | CN202011395096.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582495A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582495A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈全胜;张明;王涛;贺琪 | 申请（专利权）人 | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立秋 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种红外增强型硅基光电探测器，涉及硅基光电探测器技术领域，所述红外增强型硅基光电探测器包括：正面减反射膜、pn结、正面金属电极、背面全反射结构、背面反射层和背面金属电极。解决了红外光不易吸收引起的硅基光电探测器响应低的难题，达到了可以增强红外波长的光学吸收的效果。 |
