硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201910871850.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534439A | 公开（公告）日 | 2019-12-03 |
| 申请公布号 | CN110534439A | 申请公布日 | 2019-12-03 |
| 分类号 | H01L21/52;H01L23/24;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 辛清乐;张明;王涛;张世权 | 申请（专利权）人 | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业园A座203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种雪崩二极管的封装方法，具体涉及硅片垫片用于雪崩二极管降噪的封装方法。本发明雪崩二极管降噪的封装方法，包括如下步骤：（a）提供雪崩二极管封装的管座；（b）在雪崩二极管管座上使用绝缘胶进行硅片垫片的粘接；（c）在硅片基座上使用银胶进行芯片的粘接；（d）进行键合、封帽；其中，步骤（b）中所述硅片垫片的下表面绝缘，上表面导通。本发明采用契合度更高，价格更便宜的硅片垫片代替陶瓷垫片进行垫接，能够使整个结构的契合度更高；且硅片垫片的生产工艺简单，成本较陶瓷垫片而言，有大幅的降低。 |
