一种高精度多晶低阻的工艺制造技术
基本信息
| 申请号 | CN202011603194.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112707366A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112707366A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | B81B7/02;B81C1/00 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 陈培仓;张冠群;王涛;彭时秋 | 申请（专利权）人 | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立秋 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高精度多晶低电阻的制造方法，属于MEMS工艺领域。该方法用离子注入提高了电阻精度：因离子注入可以精准控制注入离子种类、能量和剂量，从而可以精确控制电阻的阻值，提高了电阻的精度，使得精度小于1%；注入前退火：目的是使多晶硅晶粒变大，改变了多晶晶格结构，使得带隙减小，便于注入离子激活；注入后退火：目的是修复晶格损伤，使注入离子移动到晶格点，将离子激活，从而通过两次退火降低了多晶硅电阻阻值，可以使得阻值降低至40Ω以内；并且通过SiO2层有效阻止了注入离子反扩。 |
