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一种雪崩光电二极管的制造方法

基本信息

申请号	CN202011190083.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112289882A	公开（公告）日	2021-01-29
申请公布号	CN112289882A	申请公布日	2021-01-29
分类号	H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	张明;贺琪;王涛;彭时秋	申请（专利权）人	无锡中微晶园电子有限公司
代理机构	无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨立秋
地址	214000 江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室
法律状态	-

摘要

本发明公开一种雪崩光电二极管的制造方法，属于二极管技术领域。首先提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上进行两次外延；氧化所述衬底，再生长出SIN层；光刻开出沟槽区，并进行Trench沟槽刻蚀；进行热氧化隔离，并用多晶POLY填充Trench沟槽；去除表面多晶POLY后再次氧化形成隔离；使用第二导电类型的掺杂剂进行高掺杂，形成第二导电电极区；光刻正面打孔，正反面沉积金属电极，形成雪崩光电二极管。本发明的制造方法步骤简单，能实现高增益高速雪崩光电二极管和实现单元间隔离的效果；增加光电流吸收效率，并且降低雪崩电场从而提高耐压；本发明的工艺涉及的设备、材料为常用MOS器件制作中的通用设备，不需新增材料及设备。