能克服多晶高温后腐蚀残留的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110769331.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471065A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471065A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈培仓;张冠群;彭时秋;王涛 | 申请（专利权）人 | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立秋 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种能克服多晶高温后腐蚀残留的方法。其包括如下步骤：步骤1、提供衬底，在所述衬底上制备得到多晶硅层；步骤2、对上述多晶硅层进行图形化，以得到多晶硅图形层；步骤3、对上述多晶硅图形层进行所需的高温退火，并在高温退火后，进行所需的离子注入工艺；步骤4、在上述多晶硅图形层上制备遮蔽保护层，所述遮蔽保护层覆盖在多晶硅图形层上；步骤5、对上述多晶硅图形层进行高温离子激活，以在高温激活后，能得到所需的多晶硅图形膜层；步骤6、去除所述多晶硅图形膜层上的遮蔽保护层。本发明能提高工艺兼容性，解决先高温退火再腐蚀工艺时多晶残留表观异常，避免残留可能导致的OS失效，保证产品性能。 |
