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一种导模法生长氧化镓单晶的复合热场结构

基本信息

申请号 CN201820254343.4 申请日 -
公开（公告）号 CN208136383U 公开（公告）日 2018-11-23
申请公布号 CN208136383U 申请公布日 2018-11-23
分类号 C30B15/34;C30B15/14;C30B29/16;C30B33/02 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈政委 申请（专利权）人 北京铭镓半导体有限公司
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 陈政委;北京镓族科技有限公司
地址 100000 北京市海淀区清河街道学府树家园四区1号楼2单元2102室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种导模法生长氧化镓单晶的复合热场结构，包括高温熔融区和中温退火区，中温退火区置于高温熔融区之上。中温退火区采用氧化锆保温材料制成，外部缠绕热铬铝高温电阻加热丝，对外发热。中温退火区与高温融入区通过上保温盖将隔开。下保温层的中心开有通孔，用于插入上下高度可调节的坩埚支撑杆。该复合热场结构还设置有观察窗，并配置视频成像系统。本实用新型在β‑Ga2O3氧化稼单晶生长的高温熔融区轴向方向上增加中温退火区，在充分利用晶体生长期间形成的热场能量的同时，使中温退火区域中形成一个温度梯度相对小的退火空间，对刚刚生长出来的β‑Ga2O3氧化稼单晶进行原位退火，起到降低晶体内部热应力的效果。