镓酸镧薄膜及其制造方法及相应的镓酸镧薄膜光电探测器
基本信息
| 申请号 | CN201811121315.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109449239B | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN109449239B | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01L31/108;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谷雪 | 申请（专利权）人 | 北京铭镓半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京清诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 乔东峰;樊锦标 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种镓酸镧薄膜光电探测器，以及相应的钙钛矿结构镓酸镧薄膜及其制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、镓酸镧薄膜和电极，其中镓酸镧薄膜为（00l）取向的钙钛矿结构LaGaO3外延薄膜，衬底为LaAlO3衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的镓酸镧薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且重复性好。本发明制得的光电探测器暗电流极小、紫外可见抑制比高、响应度高、且制造工艺简单。 |
