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普通LOGIC工艺中大单位容值电容的制作方法

基本信息

申请号 CN201410025926.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103762157A 公开（公告）日 2014-04-30
申请公布号 CN103762157A 申请公布日 2014-04-30
分类号 H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 贾金辉;徐跃江;岳云;奚谷枫 申请（专利权）人 无锡紫芯集成电路系统有限公司
代理机构 无锡华源专利事务所（普通合伙） 代理人 林弘毅;聂汉钦
地址 214028 江苏省无锡市新区长江路21-1创源大厦411-1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种普通LOGIC工艺中大单位容值电容的制作方法，在MOM电容的基础上增加MOS管的电容。MOM电容用工艺最小尺寸设计金属插指，由多层金属按插指结构布局，不同金属层形成的MOM电容的布局完全相同。MOM电容与MOS管的电容两者为垂直结构，MOS管的电容位于MOM电容下方。MOS管的源极和漏极相连构成电容一端，栅极构成电容另一端；MOM电容的两端分别与MOS管的电容的两端相连，组成并联架构。本发明可以在特定工艺中，在不增加MASK情况下，制作出单位容值最大的电容。使用本发明，可以在保证芯片功能的情况下，明显降低芯片的生产成本。