深结硼衬底扩散抛光片
基本信息

| 申请号 | CN02114202.5 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN1464526A | 公开(公告)日 | 2003-12-31 |
| 申请公布号 | CN1464526A | 申请公布日 | 2003-12-31 |
| 分类号 | H01L21/225;H01L21/302 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邓建伟;蒋小兵;刘谋华;刘清 | 申请(专利权)人 | 衡阳科晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | 衡阳市科航专利事务所 | 代理人 | 傅戈雁 |
| 地址 | 421007湖南省衡阳市易家塘七号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明公开的深结硼衬底扩散抛光片,它是由硼预扩散、硼主扩散、磨片、抛光、清洗等工艺步骤制备而成的。通过上述方法制得的深结硼扩散抛光片能完全代替现有的外延片,从而大大降低了制作PNP三极管和晶闸管成本。 |





