采用刻蚀技术扩大MCP开口面积比的方法及MCP

基本信息

申请号 CN202110722026.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113451089A 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN113451089A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01J9/12(2006.01)I;H01J43/24(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邱祥彪;张正君;王健;李婧雯;杨莉莉;朱双双;任玲;乔芳建;陈晓倩;王鹏飞;李涛 申请(专利权)人 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
代理机构 南京行高知识产权代理有限公司 代理人 王菊花
地址 211106江苏省南京市江宁区秣陵街道康平街2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种采用刻蚀技术扩大MCP开口面积比的方法及MCP。在常规微通道板的腐蚀工序之后,通道阵列已完成制作,此时,增加一个刻蚀的步骤,采用一定角度的定向的反应离子刻蚀或离子束物理刻蚀,对MCP通道阵列的输入面进行刻蚀处理,处理过程中使得MCP基底进行自转,由此可获得轴对称的扩口结构,显著扩大MCP输入面的开口面积比,结合输入面镀制较浅电极技术,在不影响其他性能的情况下,显著提高MCP对于输入信号的探测效率。同时,在此基础上,在输入面镀制具有高二次电子发射系数的膜层材料,可进一步的提升探测效率。