功率MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN201420736131.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204257661U | 公开（公告）日 | 2015-04-08 |
| 申请公布号 | CN204257661U | 申请公布日 | 2015-04-08 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;陈俊峰;古一夫 | 申请（专利权）人 | 厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海芯亮电子科技有限公司;厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种功率MOSFET，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多重终止环位于衬底和高温热氧化层之间，浮接多晶硅环位于高温热氧化层上，芯片边界位于衬底的侧面。本实用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬时脉冲对组件所可能引起的伤害，即能够提供组件对突波或瞬时脉冲更佳的防护能力。 |
