功率元件
基本信息
| 申请号 | CN201420736122.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204257623U | 公开（公告）日 | 2015-04-08 |
| 申请公布号 | CN204257623U | 申请公布日 | 2015-04-08 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海芯亮电子科技有限公司;厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种功率元件，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N+掺杂层、P+掺杂层、衬底、凹槽，P型阱位于衬底的上方，氧化层、多晶硅栅层、N+掺杂层、P+掺杂层都位于绝缘层和P型阱之间，第一护层位于金属层和第二护层之间，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中。本实用新型可抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。 |
